yy易游体育平台合法吗安全吗:英诺赛科发布700V SolidGaN平台新品开启高功率电源新纪元

  在高功率电源领域，工程师面临服务器电源功率不断攀升，光伏逆变器对效率的追求日益提高，车载OBC也在追求更高功率密度等诸多挑战。这一些因素导致电源系统模块设计复杂性增加，热管理难度增加，可靠性风险上升。行业亟需更低损耗、更高效率的功率器件新品。

  近日，英诺赛科推出 4 款基于700V SolidGaN平台的新品，采用TOLL和TOLT封装，具备高开关频率、高功率密度和高效散热能力，为新一代电源设计提供简单易用且高效的解决方案。下文将深入剖析该系列新产品的创新特性及优势等实际应用价值。

  随英诺赛科本次推出4款无引脚封装氮化镓新品，至此，英诺赛科612X系列700V SolidGaN产品矩阵共具备8款产品，提供三类封装可选，可为产品工程师提供更灵活多样的器件选择。

  该产品具备“无感替换”生态优势。其10-24V宽栅压驱动设计，兼容SiC和IGBT控制器，适用多种应用场景。引脚兼容设计使TP与TA版本功能引脚精准对应，便于替换操作。集成LDO栅极钳位，可有效消除Vgs过冲风险，保障器件安全稳定运行。

  本次新品具备100V/ns dv/dt保护与0.5Ω强下拉米勒钳位，消除负压需求。零反向恢复电荷（Qrr=0）特性，使开关损耗较传统产品降低40%。同时本次芯片采用超低热阻设计，TOLT封装热阻0.48℃/W（以ISG6124TP为例），TOLL封装热阻0.46℃/W（以ISG6123TA为例），有助于确保器件高功率运行时的散热效率。

  该产品适用于1KW至6KW的服务器电源、空调电源及工业电源等大功率场景。对比传统方案，效率提升1-2%，功率密度提高50%，在能耗与体积方面更具优势，为系统模块设计提供更大灵活性。

  与同类型产品相比，该系列新产品优势突出。开关频率可达2MHz，是传统650kHz SiC产品的3倍。实测功率密度提高50%，且通过整合驱动与保护电路，系统元件减少60%，简化电路设计，降低设计难度与生产所带来的成本，并提升系统可靠性和稳定性。

  这两款芯片的差异点为封装带来的散热效率差异，ISG6123TA采用TOLL-11L封装，而ISG6123TP采用TOLT-16L封装，前者功率耗散271W，后者为338W。

  上述四款芯片适用于高功率开关电源、AC-DC/DC-DC/DC-AC转换电路、半桥和全桥电路、电视电源和空调电源、数据中心/Ai服务器电源、电机驱动以及太阳能逆变等诸多场景。

  英诺赛科推出四款700V SolidGaN平台新品，其具备高开关频率、高功率密度和高效散热能力，能为电源设计工程师提供高效解决方案，在高功率场景中可显著提升效率与功率密度，优于传统方案。

  英诺赛科 是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。企业具有全球规模最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际领先水平。公司氮化镓产品用在所有低中高压应用场景，产品研制范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可大范围的应用于消费电子、可再次生产的能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。